Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: CK8

Результаты поиска для CK89A

КомпонентОписаниеПроизводительPDFBuy
70RCK8
RACKS 8 Channel
Grayhill, Inc
LNG898CK8
3.0 mm InGaAIP
Panasonic Semiconductor
LNG897CK8
3.0 mm InGaAIP
Panasonic Semiconductor
LNW876CK8
3.2 mm InGaAIP
Panasonic Semiconductor
LNW898CK8
3.0 mm InGaAIP
Panasonic Semiconductor
LNW897CK8
3.0 mm InGaAIP
Panasonic Semiconductor
K4R271669B-NCK8
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
Samsung semiconductor
K4R881869M-NCK8
288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
Samsung semiconductor
K4R271669B-MCK8
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
Samsung semiconductor
K4R441869B-NCK8
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
Samsung semiconductor
K4R441869B-MCK8
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
Samsung semiconductor
K4R271669AN-CK8
256K x 16 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq. 800 MHz.
Samsung semiconductor
K4R271669AM-CK8
256K x 16 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq. 800 MHz.
Samsung semiconductor
K4R441869AN-CK8
256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq. 800 MHz.
Samsung semiconductor
K4R441869AM-CK8
256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq. 800 MHz.
Samsung semiconductor
K4R271869B-NCK8
256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq.: 800 MHz.
Samsung semiconductor
K4R271869B-MCK8
256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq.: 800 MHz.
Samsung semiconductor
K4R271669A-NMCK8
256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
Samsung semiconductor
K4R441869A-NMCK8
256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
Samsung semiconductor
MR16R1624AF0-CK8
(16Mx16)x2(4/8/16)pcs RIMM Module based on 256Mb A-die, 32s banks,16K/32ms Ref, 2.5V
Samsung semiconductor
 Поиск занял 0.0202 сек.
Страница 1 из 3123



© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»